非极性纳米线压电电子和压电光电子学效应的研究进展

• 作者: 曹瑾 王幸福
• 来源期刊: 华南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体纳米线 压电电子学 压电光电子学
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学与光学工程
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: O47
• 字数: 6366字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6054/j.jscnun.2020002

摘要

压电极化和半导体特性之间的耦合因具有独特的物理性质而引起了人们的关注,并由此兴起了一些新的研究领域(如压电电子学和压电光电子学).文章回顾了压电效应和压电光电子学效应对金属/半导体(M/S)和p-n结的影响,详细介绍了c轴和a轴压电电子和压电光电子学研究的基本进展和应用探索.c轴纳米结构中的压电效应是界面效应,它利用在纳米结构的局部M/S接触处或同质/异质结处产生的压电极化来控制载流子跨界面传输,并通过光感应载流子进行相应的光电过程.在非极性a轴纳米线中,外部应变感应的压电电荷沿整个极性表面分布,方向垂直于纳米线.压电半导体的电荷载流子传输过程在整个纳米结构体内受到压电效应的调节.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王幸福	华南师范大学半导体科学技术研究院	1	0	0.0	0.0
2	曹瑾	华南师范大学半导体科学技术研究院	1	0	0.0	0.0