自催化生长GaSb纳米线及其在高性能紫外-可见-近红外光电探测器中的应用

• 作者: 史瑞龙 娄正 张凯 柴瑞青 沈国震
• 来源期刊: 中国科学:材料科学(英文版)
• 学科: 工学
• 关键词: 霍尔迁移率 光电探测器 光电器件 探测率 柔性衬底 探测性能 可见光响应 柔性器件
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 页码范围: 383-391
• 页数: 9页
• 分类号: TN3

摘要

本文应用镓金属液滴作为催化剂,采用化学气相沉积方法自催化合成了单晶GaSb纳米线.研究表明该GaSb纳米线为典型的p型半导体,霍尔迁移率为>0.042 cm^2V^-1s^-1.硅基和柔性衬底上构筑的基于GaSb纳米线的光电探测器,具有良好的紫外-可见-近红外宽光谱探测性能.硅基器件对500 nm的可见光响应率可达3.86×10^3A W-1,探测率可达3.15×10^13Jones;柔性器件在保持相似光电性能的同时,具有极好的机械柔韧性和稳定性.本文有助于更好地揭示自催化生长的GaSb纳米线的性能,并为进一步设计基于GaSb纳米线的功能光电器件打下了实验基础.