碳化硅发展势头强 英飞凌650V CoolSiC MOSFET推高创新浪潮

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 电源管理 开关电源 多元化市场 大中华区 电子产品世界 创新浪潮 MOSFET 碳化硅
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: TN3

摘要

近期,多家公司发布了碳化硅(SiC)方面的新产品。作为新兴的第三代半导体材料之一,碳化硅具备哪些优势,现在的发展程度如何?不久前,碳化硅的先驱英飞凌科技公司推出了650V的CoolSiCTM MOSFET,值此机会,电子产品世界访问了英飞凌电源管理及多元化市场事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源先生。