A位掺杂对BF-PZT压电陶瓷性能的影响

• 作者: 张元松 张静 燕周民 赖炜 钟敏
• 来源期刊: 中国陶瓷工业
• 学科: 工学
• 关键词: BF-PZT压电陶瓷 A位掺杂 介电和压电性能 介电弛豫特性
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.13958/j.cnki.ztcg.2020.04.003

摘要

采用XRD分析了固相法制备0.10BF-0.90PZT压电陶瓷不同锆钛比的相结构,并研究了A位掺杂量对体系介电、压电性能的影响.研究表明:体系的相结构均为单一的钙钛矿结构;随着锆钛比的降低,体系的相结构由三方相向四方相转变,且体系的准同型相界位于锆钛比为1.24附近;在锆钛比为1.24组分中A位掺杂量为0.16时,介电和压电性能达到最佳值,即:相对介电常数(ε3T30/ε)为4118、机电耦合系数(kp)为0.85、压电常数(d33)为803 pC/N、介电损耗(tanδ)为2.21％、机械品质因子(Qm)为49.8;居里温度(Tc)为214℃且掺杂浓度达到饱和;并发现该体系具有典型的介电弛豫特性.