光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响

• 作者: 吴伯涛 周秀文 曹林洪 湛志强
• 来源期刊: 广州化工
• 学科: 工学
• 关键词: 光电化学腐蚀法 多孔硅阵列 工艺优化 结构规整
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 科学实验
• 页码范围: 45-48,61
• 页数: 5页
• 分类号: TQ035
• 字数: 3277字
• 语种: 中文

摘要

采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40％)C2H5OH(99％)H2O=171(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列.研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同.最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹林洪	西南科技大学材料科学与工程学院	38	148	8.0	10.0
2	周秀文	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	28	123	5.0	10.0
3	吴伯涛	西南科技大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
4	湛志强	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	1	0	0.0	0.0