LTE MTC射频发射机中CMOS功率放大器设计

• 作者: 冯景 朱祥飞 樊祥宁 肖宁
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: LTEMTC 线性度 CMOS 射频功率放大器
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 页码范围: 595-600
• 页数: 6页
• 分类号: TN722
• 字数: 3019字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2020.03.023

摘要

针对LTE MTC蜂窝物联网通信下的应用场景,本文给出了一种基于TSMC 65 nm CMOS LP工艺设计的AB类线性功率放大器.为达到一定的功率增益要求,采用两级级联结构,包括驱动级和功率级.两级电路均采用差分结构,可以在不提高电源电压的情况下,达到足够的输出功率和线性度,同时还有利于抑制共模噪声,减小寄生参数及键合线电感对电路性能的影响.为了避免晶体管被击穿,同时提高输入输出端口之间的隔离度,两级电路均采用共源共栅(Cascode)结构.后仿真结果表明,电源电压3.3V情况下,功率放大器在1880 MHz～1920 MHz频段工作稳定,输入反射系数S11<-10 dB,输入匹配良好,输出1 dB压缩点为24.1 dBm,饱和输出功率大于26 dBm,功率增益大于20 dB,输出1 dB压缩点出的功率附加效率25％,峰值效率达到30％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊祥宁	东南大学微电子学院	19	73	5.0	7.0
5	肖宁	东南大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
6	朱祥飞	东南大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
7	冯景	东南大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0