锗(Ge)基先进场效应晶体管技术研究进展

• 作者: 李骏康 赵毅 郑泽杰
• 来源期刊: 中国科学（信息科学）
• 关键词: 锗 栅极堆垛 源漏技术 新器件结构
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 163-183
• 页数: 21页
• 语种: 中文

摘要

传统硅(Si)基集成电路制造工艺已经进入7 nm节点,继续减小器件尺寸变得愈发困难.半导体材料锗(Ge),具有比硅更高的载流子迁移率,能够实现器件性能的大幅提升.本文从栅极堆垛(gatestack)、源漏工程(source/drain engineering)和新器件结构(new device structures)3个角度总结了Ge器件的最新研究成果.研究表明,锗沟道器件中诸多关键科学和工程问题仍未得到有效解决,从基本的器件制备工艺到深层次的器件物理问题都亟待深入研究与克服.但是,Ge器件是未来集成电路5 nm及以下技术节点最有希望的发展方向.