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摘要:
采用GaN HEMT裸管芯片TGF2023-2-02,设计了一款工作于5G频段的宽带功率放大器.首先,在HFSS中合理设置键合线的结构参数并建立模型进行仿真,以实现晶体管与外围的微带电路连接;其次,利用ADS对功率管的大信号模型进行负载牵引,进而获得可以实现高性能的最佳负载阻抗,通过使用多频点阻抗匹配方法有效拓展了功率放大器的带宽.仿真结果表明:在3-6GHz频带范围内大信号增益大于8.6dB,增益平坦度维持在±0.7dB,输出功率为38.6-40dBm,效率为35%-47%.
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文献信息
篇名 5G通信的宽带功率放大器设计
来源期刊 廊坊师范学院学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 功率放大器 宽带 多频点匹配 5G GaN HEMT
年,卷(期) 2020,(3) 所属期刊栏目 物理与电子技术
研究方向 页码范围 24-27
页数 4页 分类号 TN454
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
功率放大器
宽带
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5G
GaN HEMT
研究起点
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廊坊师范学院学报(自然科学版)
季刊
1674-3229
13-1391/N
大16开
河北省廊坊市
2001
chi
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