4in硅基碲化镉的厚度均匀性研究

• 作者: 师景霞 李震 王丛 高达
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: 碲化镉 硅基 分子束外延
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 22-26,32
• 页数: 6页
• 分类号: TN214
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2020.11.004

摘要

采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)方法在4 in硅衬底上进行了硅基碲化镉复合衬底生长工艺研究.使用光学轮廓仪、原子力显微镜、傅里叶红外光谱仪等设备对碲化镉薄膜进行了测试.结果 表明,碲化镉薄膜的厚度均匀性、表面粗糙度、翘曲度和半峰宽等都达到了预期标准,能为外延碲镉汞薄膜提供良好的衬底.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李震		7	10	2.0	3.0
2	高达		15	12	2.0	3.0
3	王丛		19	19	3.0	3.0
4	师景霞		3	0	0.0	0.0