氧化钽/氧化铝薄膜的阻变特性和突触特性

• 作者: 周海芳 宫泽弘 赖云锋
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 阻变存储器 氧化钽/氧化铝薄膜 低功耗 开关比 突触器件
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 页码范围: 458-463
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.7631/issn.1000-2243.19517

摘要

通过微电子加工工艺,制备出具有ITO/TaOx/AlOx/Ti结构的双介质层阻变存储器.器件中引入的氧化铝介质层有效地减小了器件的运行电流,降低了高/低阻态间切换所需的功耗,并增大了高/低阻态电阻比值.研究表明,器件的高低态电阻与其切换电压均有良好的稳定性和均匀性,且器件表现出可靠的擦写性能与保持性能.进一步研究表明,器件高阻态导电受肖特基发射机制主导,低阻态导电受空间电荷限制机制主导.器件还具有连续可调的电阻渐变行为,利用反复电脉冲刺激下的器件电阻变化来表征突触的权值,可以模拟突触行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周海芳		28	74	5.0	7.0
2	赖云锋		21	69	5.0	8.0
3	宫泽弘		1	0	0.0	0.0