MoS2中带电点缺陷性能的理论研究

• 作者: 何军 崔丽玲 张丹 肖金 陈敏敏
• 来源期刊: 湖南工业大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二硫化钼 带电缺陷 形成能 第一性原理 TRSM
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 76-85
• 页数: 10页
• 分类号: O474
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9833.2020.06.011

摘要

采用一个严谨的、透明的、与体系维度无关的带电缺陷计算理论TRSM模型,系统研究了MoS2中点缺陷的形成能.研究结果表明,单层MoS2的所有n型或p型固有缺陷电离能级都很深,并且S空位(VS)缺陷也不是实验观察到的n型导电性的起源.相反,H原子吸附在MoS2中具有非常低的离化能,可能是MoS2具有n型导电性的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何军		9	21	3.0	3.0
2	张丹		5	0	0.0	0.0
3	崔丽玲		5	9	1.0	3.0
4	肖金		1	0	0.0	0.0
5	陈敏敏		1	0	0.0	0.0