45°高反膜中节瘤缺陷的电场增强效应及损伤特性

• 作者: 卫耀伟 安晨辉 潘顺民 王健 罗振飞
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 激光薄膜 节瘤缺陷 时域有限差分 损伤阈值 电场增强
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 强激光物理与技术
• 页码范围: 30-36
• 页数: 7页
• 分类号: TN244
• 字数: 2799字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB202032.200028

摘要

研究设计和制备了中心波长为1064 nm的45°多层膜反射镜,通过数值仿真结合实验,对薄膜中节瘤缺陷引起的电场增强效应及其对薄膜抗激光损伤性能的影响进行了研究.结果表明:当1064 nm激光从右至左45°斜入射时,电场增强效应主要出现在节瘤缺陷的表层及其左侧轮廓中部,电场增强效应随节瘤缺陷尺寸增大而增强.实验上,在清洁的基板表面喷布单分散SiO2微球作为人工节瘤种子,采用电子束蒸发制备法完成多层全反膜的制备,采用R-on-1方式对薄膜样品进行激光损伤测试.结果表明,薄膜的损伤阈值随着节瘤缺陷尺寸增加而减小.通过综合分析电场增强效应、薄膜损伤测试结果及损伤形貌特征得出,薄膜损伤阈值降低是由于节瘤缺陷和薄膜中微缺陷共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王健	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	29	117	6.0	10.0
2	罗振飞	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	7	31	4.0	5.0
3	卫耀伟	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	4	1.0	2.0
4	安晨辉	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	5	1.0	2.0
5	潘顺民	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	1	0	0.0	0.0