SiO2保护膜对高反膜激光损伤特性的改善

• 作者: 刘晓凤 李大伟 李笑 范正修 赵元安 邵建达
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 基频高反膜 损伤形貌 保护膜 分层剥落 等离子体烧蚀 小坑
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 2860-2864
• 分类号: TN246
• 字数: 1471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102212.2860

摘要

为了研究高功率系统中高反膜的损伤机制,对高功率系统中最常用的基频高反膜进行了损伤实验.利用台阶仪、扫描电镜、表面轮廓仪等手段,对实验样品的典型损伤形貌进行了比较和分析.结果表明:保护膜的存在增强了样品的抗激光损伤能力;未加保护膜样品的典型破坏形貌是由材料热物特性差异导致的分层剥落损伤,这类损伤在后续的脉冲辐照下会迅速发展;有保护膜样品的典型破坏形貌是中心带有μm量级小坑的等离子体烧蚀损伤区,其主要是由缺陷受热力作用喷溅导致,小坑附近膜面的凸起是这种力学作用的宏观体现,这类损伤在后续的脉冲辐照中表现得相对比较稳定.保护膜的存在,在一定程度上抑制了分层剥落这种灾难性损伤的出现,改善了样品的损伤特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
3	赵元安	中国科学院上海光学精密机械研究所	47	315	11.0	15.0
4	李大伟	中国科学院上海光学精密机械研究所	33	183	8.0	13.0
5	刘晓凤	中国科学院上海光学精密机械研究所	10	52	4.0	7.0
6	李笑	中国科学院上海光学精密机械研究所	5	31	2.0	5.0