keV能量电子致Al,Ti,Zr,W,Au元素厚靶特征X射线产额与截面的研究

• 作者: 安竹 朱敬军 李玲 李颖涵
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 特征 X 射线产额 内壳层电离截面 特征 X 射线产生截面 蒙特卡罗模拟
• 年，卷（期）: 2020,（13）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 152-164
• 页数: 13页
• 字数: 5918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200264

摘要

本文使用5—27 keV能量范围的电子轰击纯厚Al(Z=13),Ti(Z=22),Zr(Z=40),W(Z=74)和Au(Z=79)靶,利用硅漂移探测器(SDD)收集产生的X射线,给出了K,L壳层特征X射线产额的测量结果,并将所得实验数据与基于扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟值进行了比较,两者在小于或约为10％ 的范围内符合.根据测得的特征X射线产额进一步得到了相应的内壳层电离截面或特征X射线产生截面.通过对比电子入射角度为45°和90°的两种情况下解析模型与蒙特卡罗模拟的特征X射线产额,发现在入射角度为90°时两者符合较好.同时,本文还给出了次级电子、轫致辐射光子对特征X射线产额的贡献,该贡献与入射电子能量关系较弱,表现出与原子序数较密切的相关性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安竹	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	24	49	4.0	6.0
2	李玲	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	66	169	7.0	10.0
3	朱敬军	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	10	5	1.0	1.0
4	李颖涵	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0