高压多芯片并联IGBT模块故障监测方法

• 作者: 王晨苑 何怡刚 王传坤 李猎 李济源
• 来源期刊: 电子测量与仪器学报
• 关键词: 高压多芯片IGBT模块 导通前电压VCE(pre-cn) IGBT芯片故障 故障监测
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 学术论文|PAPERS
• 页码范围: 98-106
• 页数: 9页
• 分类号: TN322.8|TM930
• 语种: 中文
• DOI: 10.13382/j.jemi.B2003052

摘要

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子装置的关键核心器件,其高可靠性是系统长久稳定运行的重要保障,对IGBT模块进行故障监测是提高系统可靠性的有效方式之一.提出一种新的健康敏感参数-栅极-发射极导通前电压VCE(pre-on),用于监测高压多芯片并联IGBT模块中的IGBT芯片故障.首先,对现有故障监测方法进行比较,然后建立导通前电压可靠性模型,再通过监测导通瞬态期间的VGE(pre-on)来检测高压多芯片并联IGBT模块中的IGBT芯片故障.为验证该方法的可行性,对16芯片DIM800NSM33-F IGBT模块进行了仿真,结果显示,在不同外部条件下,每个并联IGBT芯片故障所产生的导通前电压VCE(pre-cn)的平均偏移约为900 mV,且具有较高的灵敏度和抗干扰能力,可有效监测IGBT模块芯片故障.