SiC MOSFET系统振荡与降低损耗的权衡

• 作者: 张雷 戴鹏 郑遵宇
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 高速开关 寄生参数 振荡现象 铁氧体磁珠
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 页码范围: 154-158
• 页数: 5页
• 分类号: TN3

摘要

SiC MOSFET的出现使大功率快速电力电子设备成为可能。然而,由于系统寄生参数影响以及控制板输出信号不可靠的原因,在高速开关过程中系统会出现剧烈振荡现象。本文通过实验得到了两种抑制剧烈振荡的方法。其中,在主回路中加入铁氧体磁珠的方法获得了振荡与损耗的较好权衡。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴鹏	中国矿业大学信息与电气工程学院	97	959	15.0	28.0
2	张雷	中国矿业大学信息与电气工程学院	44	148	7.0	10.0
3	郑遵宇	中国矿业大学信息与电气工程学院	1	0	0.0	0.0