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摘要:
采用直流磁控溅射方法,保持Ar气流量不变,控制O2气在Ar气与O2气混合气体在Ar/O2=30sccm/90sccm的情况下,采用STO(100)单晶基片制备了FNO薄膜.利用XRD和VSM等测试手段,对STO(100)单晶基片生长的不同基片温度FNO薄膜的结构及磁学性能进行表征.测试结果表明,在STO(100)单晶基片上不同基片温度得到了NiFe2 O4薄膜,随着基片的温度增大,样品的矫顽力Hc先增大后减小,基片温度为650摄氏度时,矫顽力最大,Hc=1244.7Oe.
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文献信息
篇名 衬底温度对NiFe2O4薄膜生长和磁学性能的影响
来源期刊 产业与科技论坛 学科
关键词 NiFe2O4薄膜 基片温度 氧气分压 微观结构 磁学性能
年,卷(期) 2020,(14) 所属期刊栏目 科技创新
研究方向 页码范围 63-64
页数 2页 分类号
字数 1154字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王丽丽 长春大学理学院 49 108 6.0 8.0
2 孙德烨 长春大学理学院 2 1 1.0 1.0
3 庄澔淼 长春大学理学院 1 0 0.0 0.0
4 姬雪蕾 长春大学理学院 1 0 0.0 0.0
5 王晶 长春大学理学院 2 0 0.0 0.0
6 刘伟达 2 0 0.0 0.0
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产业与科技论坛
半月刊
1673-5641
13-1371/F
大16开
河北省石家庄市
18-181
2006
chi
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43551
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161
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