利用正电子湮没技术研究钾掺杂钨合金中的缺陷

• 作者: 唐军 张培源 田雪芬 邓爱红
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 钾掺杂 正电子湮没谱学 钨合金
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 214-222
• 页数: 9页
• 字数: 6388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191792

摘要

钨合金中钾的掺杂会引入大量的缺陷,如尺寸几十纳米的钾泡、高密度的位错以及微米量级的晶粒带来的晶界等,这些缺陷的浓度和分布直接影响合金的服役性能.本文运用正电子湮没谱学方法研究钾掺杂钨合金中的缺陷信息,首先模拟计算了合金中各种缺陷的正电子湮没寿命,发现钾的嵌入对空位团、位错、晶界等缺陷的寿命影响很小;然后测量了不同钾含量掺杂钨合金样品的正电子湮没寿命谱,建立三态捕获模型,发现样品中有高的位错密度和低的空位团簇浓度,验证了钾对位错的钉扎作用,阐述了在钾泡形成初期是钾元素与空位团簇结合并逐渐长大的过程;最后使用慢正电子多普勒展宽谱技术表征了样品中缺陷随深度的均匀分布和大量存在,通过扩散长度的比较肯定了钾泡、晶界等缺陷的存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐军	四川大学原子核技术科学研究所	72	416	11.0	15.0
2	邓爱红	四川大学物理学院	26	66	5.0	6.0
3	田雪芬	四川大学物理学院	3	2	1.0	1.0
4	张培源	四川大学物理学院	2	0	0.0	0.0