化学腐蚀对碳化硅纳米线的光致发光性能的影响

• 作者: 王冬华 雷思洁
• 来源期刊: 山东化工
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米碳化硅 光致发光 结构缺陷 化学腐蚀
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TQ163+.4|TB383
• 字数: 4785字
• 语种: 中文

摘要

以石墨为原料,正硅酸乙酯为硅源,硝酸铁为催化剂,采用溶胶-凝胶法和碳热还原法得到了碳化硅纳米线,随后用比例为1:3的浓硝酸和氢氟酸对所制备的样品进行腐蚀.用X射线衍射仪(XRD)、红外光谱仪(IR)、场发射扫描电镜(FESEM)、荧光光谱仪(PL)对腐蚀前后的碳化硅样品分别进行结构及性能的表征.结果表明,化学腐蚀前后的晶体形貌差异较大,而且光致发光特性产生明显不同.强发射峰位置出现明显蓝移是由于晶体结构缺陷和表面形貌导致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王冬华	渭南师范学院化学与材料学院	28	65	5.0	6.0
2	雷思洁	渭南师范学院化学与材料学院	1	0	0.0	0.0