PVT法生长碳化硅的生长方法及装置设置专利技术综述

• 作者: 游巧
• 来源期刊: 广东化工
• 学科: 工学
• 关键词: PVT SiC 晶体
• 年，卷（期）: 2020,（21）
• 所属期刊栏目: 专论与综述
• 页码范围: 73-74,72
• 页数: 3页
• 分类号: TQ
• 语种: 中文

摘要

SiC作为第三代半导体材料的代表,如何提高SiC晶体质量受到了国内外广泛关注.本文针对PVT法生长SiC晶体的生长方法及装置设置的专利进行综述.通过国内外专利申请量、主要申请人以及改进方向的对比,把握国内外技术演进方向和改进侧重点,寻找国内外技术差距.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游巧		3	0	0.0	0.0