接触/接近式光刻UV-LED光源测试分析与工艺研究

• 作者: 陈威 党景涛 王河 周庆奎 庞超群
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻机 UV-LED光源 光刻工艺
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 1-4,33
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文

摘要

通过对比混波UV-LED(Ultraviolet Light Emitting Diode)光源和单波UV-LED光源的性能和工艺实验,优化了混波UV-LED光源光刻工艺.光源性能主要对比了两种光源最大光照强度和光强均匀度,工艺实验选用不同光照强度15 mW/cm2、20 mW/cm2,不同曝光时间3 s和5 s,样片显影后通过光学显微镜观察样片线条形貌.结果表明:混波UV-LED光源相比单波UV-LED光源最大光照强度下降,从47.2 mW/cm2降至32.8 mW/cm2,光强均匀度从97％降至95％.混波UV-LED光源真空复印模式下最优曝光工艺为光强20 mW/cm2,曝光时间3 s.