拓扑半金属MoTe1.5S0.5与MoTe2电子结构和光学性质的比较研究

• 作者: 王胜 郑鑫 陈浩泽 吴林 成立 张莉
• 来源期刊: 中国计量大学学报
• 关键词: 拓扑半金属 掺杂 光学性质 电子结构
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学|Materials Science
• 页码范围: 267-273
• 页数: 7页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2096-2835.2021.02.018

摘要

目的:研究拓扑半金属独特的电子结构和新奇的物理特性.方法:根据第一性原理计算方法、利用MS软件的CASTEP模块对MoTe1.5S0.5与MoTe2分别建模,利用VASP软件包分别计算了掺S前后体系的电子结构和光学性质.结果:1)掺S后电子结构变化:能带上G点附近导带下移,带隙变小,分析得出这是由于S原子代替Te原子引入化学压力所致.2)掺S后光学性质变化:MoTe2掺S后除损失函数峰值明显增加、变窄和红移,其反射率、吸收率、光导率的实部和虚部均略有下降.进一步分析反射率和和光电导率发现:MoTe1.5 S0.5的等离子频率变为2500 cm-1;"平坦的光电导率"变为2000～3000 cm-1.结论:MoTe2掺S引入化学压力可在一定程度上调控MoTe2的电子结构和光学性质,这对从电子结构和光学性质角度理解拓扑半金属有参考价值.