碳化硅MOSFET开关瞬态模型

• 作者: 夏逸骁 陶雪慧
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 开关模型 电压电流变化率 杂散参数
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 电力电子技术
• 页码范围: 152-156
• 页数: 5页
• 分类号: TN7
• 语种: 中文
• DOI: 10.14022/j.issn1674-6236.2021.01.032

摘要

在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注.由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响.对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析,推导了它的开关模型.通过开关模型提取出其电压变化率和电流变化率,在考虑杂散参数的基础之上寻找其与电压及电流变化率之间的联系.仿真及实验通过搭建buck电路平台,测试其开通和关断波形,提取出开关过程各阶段电压电流的变化率,进一步验证理论分析过程和模型建立的准确性.