氧化铪薄膜的制备及光电性能研究进展

• 作者: 万燕飞 李赛 杨培志
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 关键词: HfO2薄膜 制备方法 光电性能 研究进展
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 可再生能源研究
• 页码范围: 12-21
• 页数: 10页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.7699/j.ynnu.ns-2021-016

摘要

氧化铪(HfO2)是一种简单的二元金属氧化物,具有宽禁带、高介电常数、高折射率、高透射、高抗激光损伤和高熔点等特点,在光电器件领域有着广阔的应用前景.HfO2还具有良好的铁电与阻变性能且与CMOS工艺相兼容,使其在非易失存储器领域也得到了广泛研究.结合近年来国内外HfO2薄膜制备及性能研究,综述了HfO2薄膜制备方法和光电性能的研究进展.