基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列

• 作者: 谭毅 庄永漳 卢子元 张晓东 赵德胜 蔡勇 曾中明 张宝顺
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 蓝光Micro-LED 离子注入隔离 氮化镓 横向结构 高光功率密度
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理|Device Fabrication and Physics
• 页码范围: 215-222
• 页数: 8页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20200355

摘要

采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能.实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器件的电学和光学隔离效果越好.当离子注入能量为60 keV时,Micro-LED阵列具有相对最佳的光电效果,同时基于该离子注入能量制备的4μm超小尺寸Micro-LED阵列的光功率密度高达200 W/cm2,展现了离子注入工艺在新一代Micro-LED微显示芯片中的应用潜力.