硅片厚度对SE-PERC单晶硅太阳电池制备过程的影响分析

• 作者: 朱少杰 王贵梅 王玉涛 王德昌 张志敏
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: 太阳电池 选择性发射极-钝化发射极及背接触 硅片厚度 湿法刻蚀 背面抛光 氮化硅
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 技术应用|TECHNOLOGY APPLICATION
• 页码范围: 71-74
• 页数: 4页
• 分类号: TK514
• 语种: 中文
• DOI: 10.19911/j.1003-0417.tyn20201208.01

摘要

基于目前主流的选择性发射极-钝化发射极及背接触(SE-PERC)单晶硅太阳电池生产工艺,针对不同硅片厚度在太阳电池制备过程中的表现进行分析、验证及优化.研究结果表明,硅片厚度减薄对湿法刻蚀工艺后硅片的减重、硅片背面抛光效果均有显著的不良影响,而且采用管式PECVD工艺沉积的SiNx薄膜的厚度也出现变薄的现象.若太阳电池制备过程中采用薄硅片,则需对湿法刻蚀工艺和管式PECVD工艺进行预先调节,对自动化设备预先做出相应调整,从而可保证产线的顺利运作.