正电子散射Rb、Cs电子偶素形成截面理论计算

• 作者: 王远成 李波 王雅冰
• 来源期刊: 沈阳师范大学学报（自然科学版）
• 关键词: 正电子 铷原子 铯原子 光学势 电子偶素形成截面
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 理论与应用研究|Basic Theoretical and Applied Researches
• 页码范围: 85-88
• 页数: 4页
• 分类号: O562.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5862.2021.01.017

摘要

正电子与原子碰撞问题是原子分子物理的基本问题之一,与天体物理、等离子体物理等多方面都有着密切关系.正负电子偶素形成问题是正电子与原子散射中一种特殊的物理过程,为了研究正电子与铷原子、铯原子碰撞的正负电子偶素形成问题,利用光学势的理论方法分别计算了能量范围2～30 eV的正电子散射铷原子、铯原子基态下(n=1)的正负电子偶素形成截面,并与已有的其他理论结果进行对比分析.研究结果表明,正电子散射铷原子、铯原子基态下正负电子偶素形成截面在低能量区域产生较大的区别,光学势理论方法计算的截面数据与其他理论结果数据符合较好,验证了光学势方法对于处理正电子与碱金属原子碰撞问题的有效性.