化合物半导体材料的正电子寿命计算

• 作者: 叶邦角 周先意 张杰 杜淮江 陈祥磊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体 正电子寿命
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学物质
• 页码范围: 603-608
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在局域密度理论(LDA)和广义梯度理论(GGA)的基础上计算了ZnO,GaN,GaAs,SiC和InP五种化合物半导体材料中的正电子湮没信息,包括化合物半导体材料中的自由态正电子的湮没寿命;还有不同类型空位(单空位,双空位)附近俘获的束缚态正电子密度分布和湮没率分布,以及束缚态正电子的湮没寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张杰	中国科学技术大学近代物理系	268	1793	21.0	28.0
2	叶邦角	中国科学技术大学近代物理系	40	166	7.0	12.0
3	周先意	中国科学技术大学近代物理系	32	128	7.0	10.0
4	杜淮江	中国科学技术大学近代物理系	8	33	2.0	5.0
5	陈祥磊	中国科学技术大学近代物理系	8	12	2.0	3.0