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电子器件自毁技术
电子器件自毁技术
作者:
周立彦
朱思雄
王剑峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
器件自毁
瞬态电子
应力破坏
化学腐蚀
含能材料
摘要:
电子器件存储信息及其核心制造工艺的安全防护至关重要,而对器件实施物理毁坏是最彻底的防护方法.介绍了不同类型的电子器件自毁技术,包括可降解瞬态电子技术、应力破坏、化学腐蚀以及含能材料热毁伤,对不同类型自毁技术的适用性和局限性进行了论述和比较,阐述了电子器件自毁技术的发展前景.
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篇名
电子器件自毁技术
来源期刊
电子与封装
学科
关键词
器件自毁
瞬态电子
应力破坏
化学腐蚀
含能材料
年,卷(期)
2021,(6)
所属期刊栏目
微电子制造与可靠性|Microelectronics Fabrication & Reliability
研究方向
页码范围
80-88
页数
9页
分类号
TN409
字数
语种
中文
DOI
10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0604
五维指标
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瞬态电子
应力破坏
化学腐蚀
含能材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
开本:
大16开
出版地:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
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