晶片双面磨抛压力控制系统的研究

• 作者: 孙莉莉 韦薇 张争光 徐品烈 高岳
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 关键词: 双面磨抛 压力控制 动态参数调整
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备|Semiconductor Manufacturing
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2021.04.007

摘要

晶片双面磨抛设备主要用于双面磨抛晶片,其压力控制的精度、速度以及稳定性是影响晶片磨抛质量和磨抛效率的关键性指标,为了满足双面磨抛设备对压力的控制要求,设计了闭环压力控制系统,通过动态调整控制参数实现了对压力的精确控制.