Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响

• 作者: 李想 亢玉彬 唐吉龙 方铉 房丹 李科学 王登魁 林逢源 楚学影 魏志鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 光谱学 GaAs纳米线 Si掺杂 光致发光 分子束外延
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能|Synthesis and Properties of Materials
• 页码范围: 629-634
• 页数: 6页
• 分类号: O472+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20210059

摘要

采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱(Raman)证实了掺杂GaAs纳米线中Si的存在;通过光致发光(PL)研究了非掺杂和Si掺杂GaAs纳米线的发光来源,掺杂改变了GaAs纳米线的辐射复合机制.掺杂导致非掺杂纳米线中自由激子发光峰和纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混相结构引起的缺陷发光峰消失.