绝缘体上硅波导侧壁粗糙度与模式损耗的相关性

• 作者: 王彬 孙德贵 尚鸿鹏
• 来源期刊: 光子学报
• 关键词: 绝缘体上硅波导 侧壁粗糙度 相关长度 光传输损耗 光损耗测量
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 光纤光学与光通信|Fiber Optics and Optical Communications
• 页码范围: 151-157
• 页数: 7页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20215005.0506005

摘要

绝缘体上硅光波导侧壁粗糙度引起的光损耗是限制硅基集成线路被广泛应用的重要因素之一,利用激光扫描共聚焦显微镜精确测量了SOI波导各相异性分布的侧壁粗糙度,进而将一个三维侧壁粗糙度引入到光波导传输损耗计算的传统理论模型中,获得了更加精确的模型.数值模拟表明,侧壁粗糙度与波导结构决定的相关长度与侧壁粗糙度对光传输损耗产生同步影响.用法布里-珀罗(F-P)腔调制谐振输出方法测量光波导传输损耗,测量结果与数值计算结果非常吻合,说明各相异性粗糙度分布的测量精度及其引起的光传输损耗的理论模型具有很高的可信度.一条4μm脊宽SOI波导,当侧壁粗糙度在水平和垂直方向的平均值分别为22 nm和23 nm时,对于TE-和TM-模式,计算获得的传输损耗均为4.5～5.0 dB/cm,实验获得的平均光传输损耗为4.3 dB/cm.本文研究结果与结论对SOI光波导器件的研究与开发具有参考价值.