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摘要:
忆阻器的低功耗、高响应、纳米级、非易失性等特性,在实现非冯·诺依曼计算架构中展现出巨大潜力.基于忆阻器的高密度横梁阵列可实现数据存储及并行计算一体的逻辑电路和类脑计算电路.此外,纳米传感器与忆阻器进一步集成,采集的信号直接送往忆阻器阵列进行运算和存储,感知、存储与计算一体化的芯片技术成为新的研究热点.该文对基于忆阻器的存算一体技术、感存算一体技术的研究现状进行综述,并给出研究前景展望.
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文献信息
篇名 基于忆阻器的感存算一体技术综述
来源期刊 电子与信息学报 学科
关键词 忆阻器 感存算一体 非冯·诺依曼计算架构
年,卷(期) 2021,(6) 所属期刊栏目 先进芯片与系统前沿技术专题|Special Issue on Advanced Chip and System Frontier Technology
研究方向 页码范围 1498-1509
页数 12页 分类号 TN601
字数 语种 中文
DOI 10.11999/JEIT201102
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研究主题发展历程
节点文献
忆阻器
感存算一体
非冯·诺依曼计算架构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与信息学报
月刊
1009-5896
11-4494/TN
大16开
北京市北四环西路19号
2-179
1979
chi
出版文献量(篇)
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95911
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