一种基于PVK/ZnO异质结构的新型光电忆阻器

• 作者: 阴玥 齐浩博 刘磊
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 光电忆阻器 聚乙烯基咔唑 氧化锌 电阻转变
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料|Opto-electronic Device and Material
• 页码范围: 45-48,54
• 页数: 5页
• 分类号: TF125.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2021.06.009

摘要

科研人员通过不断研究和创新提出了多种光电忆阻结构来模拟生物体中的光突触,以用于神经形态计算领域.其中,有机光电忆阻器具有成本低、制备工艺简单、柔韧性高等特点,渐渐成为该领域的研究热点,吸引了越来越多研究者.传统PVK(聚乙烯基咔唑)有机光电忆阻器,其功能层材料PVK具有优异的光伏性能和较高的空穴迁移率,但是受限于有机物电阻转变机理不够明确、材料稳定性较差等原因存在稳定性差、可重复次数低等问题.文中在Al/PVK/W/Si结构的光电忆阻器基础上,引入具有高稳定性、高电子迁移率的氧化锌功能层,提高PVK光电忆阻器的相关性能.通过对制备得到的A1/PVK/ZnO/W/Si光电忆阻器进行详细测试,并与传统A1/PVK/W/Si结构的光电忆阻器进行对比,实验结果表明,新结构的光电忆阻器稳定性显著提高,可重复性增强.