0～21 GHz高精度宽带硅基数字衰减器设计

• 作者: 刘美杉 张为 郝东宁
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 关键词: 数字步进式衰减器 相控阵雷达 高精度衰减 低附加相移 超宽带 体悬浮技术
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 信息与电子工程|Information Science and Electronic Engineering
• 页码范围: 1399-1406
• 页数: 8页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2021.07.019

摘要

针对射频前端收发系统中衰减结构宽带性能不稳定的问题,提出具有双重电容补偿的新型开关内嵌式衰减结构.该结构基于容性校正网络,在节约核心电路面积的同时通过调节零、极点对频率响应的影响,达到拓展衰减单元工作频带的目的,以满足跨频段、宽频域射频通信收发前端的设计需求.基于HHNEC 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,采用新型电容补偿结构设计6位步进式数字衰减电路,该衰减器通过6位数控开关实现64种衰减状态,衰减步进0.5 dB,衰减范围0～31.5 dB.仿真结果表明,在0～21 GHz工作频带内衰减误差均方根小于0.23 dB,附加相移均方根小于4.38°,插入损耗最大为-11.05 dB,最小为-4 dB,中心频率处1 dB压缩点17.3 dBm,核心电路版图面积0.86 mm×0.2 mm.