带有硅化物阻挡层的可控硅器件对维持电压的影响

• 作者: 曹佩 汪洋 芦俊 魏伟鹏 李婕妤 曹文苗
• 来源期刊: 电子产品世界
• 关键词: 可控硅(SCR) 硅化物阻挡层(SAB) 仿真 传输线脉冲测试系统(TLP) 维持电压(Vh)
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 元器件
• 页码范围: 76-79
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

基于0.18μm双极CMOS-DMOS(BCD)工艺,研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层(SAB)的可控硅(SCR)器件,可用于高压静电放电保护(ESD).利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统(TLP),预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响.测量结果表明,在不增加器件面积的情况下,通过增加SAB层,器件的维持电压(Vh)可以从3.03 V提高到15.03 V.与传统SCR器件相比,带有SAB层的SCR器件(SCR_SAB)具有更高的维持电压.