低寄生电感SiC MOSFETs模块的设计与制作

• 作者: 王异凡 张斌 郭清 龚金龙
• 来源期刊: 电力电子技术
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 半桥 寄生电感
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 器件与测试及其他|DEVICE AND TESTING & OTHERS
• 页码范围: 141-144
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.08.037

摘要

为获得两芯片碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)并联半桥模块的优化设计方案,采用Ansoft Q3D Extractor软件对不同互联拓扑结构的模块寄生电感进行研究,并通过ANSYS软件对不同互联拓扑结构的热传递过程进行了仿真.通过改变并联半桥模块内部换流回路中各元件的布局方式,减小模块内部换流通路的长度以及面积,从而实现减小寄生电感的目的,同时,也对不同方案的热学特性进行了比较分析.综合考虑寄生电感和散热性能两方面的因素,最终确定最优的模块设计方案;根据优化方案,针对电动汽车应用制作了6芯片并联半桥模块,并搭建Boost电路对模块进00行了测试.