Ce掺杂AlN纳米线的合成和发光特性

• 作者: 于信舜 李俊红 王秋实
• 来源期刊: 科教导刊-电子版（上旬）
• 关键词: AlN:Ce 稀土掺杂 光致发光 直流电弧等离子体法
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 课程教学
• 页码范围: 146-147
• 页数: 2页
• 分类号: TQ133.1
• 语种: 中文

摘要

在氮气的气氛中,以Al和CeO2混合粉体为原料,在直流电弧放电装置中采用直接氮化法合成了Ce掺杂AlN纳米线.利用X射线衍射(XRD)、能量色散光谱仪(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)对纳米线的结构和形貌进行了检测与分析.结果表明,Ce3+离子成功的掺杂进了AlN晶格中,纳米线的长度为2-10 m.利用PL光谱研究了纳米线的光学特性.发光中心在468 nm处源于Ce3+离子5d-4f的跃迁,表明Ce掺杂AlN纳米线在电子和光电子纳米器件的应用中具有巨大的潜力.