一种提升Nor Flash擦写热点寿命的方法

• 作者: 王赟 成嵩 杜鹏程 胡晓波 魏斌 崔炳荣
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 127-129
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

目前市场上通用的Nor Flash存储器,每个擦写单元的循环擦除/编程寿命一般在10万次左右,超过该寿命后Nor Flash将工作在不稳定状态,甚至造成信息数据读写失效.本文详细阐述了一种基于热点区域地址映射的Nor Flash动态损耗均衡方法.该方法通过设计特定的Nor Flash硬件结构,结合扇区内地址映射的方式,可以有效提升flash热点区域的擦写寿命.