一种低电压无片外电容LDO的设计

• 作者: 王文强 李晴 翟世奇 高鹏
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（15）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 182-183
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

本文采用0.18 μmCMOS工艺,设计了一种向数字、模拟、射频等模块供电的低电压LDO.由交叉耦合电荷泵向带隙基准、误差放大器供应可靠升压电压,交叉耦合电荷泵、功率管工作在低电压下.选择Cascode米勒补偿实现环路频率补偿,使之轻/重载条件下都拥有可靠性.通过Cadence Spectre进行性能仿真,LDO最低输入电压是0.8 V,输出电压是0.5 V,负载处于100μA～150mA区间内,具备环路稳定性与负载调整率,相位裕度维持60°以上;另外电路电源噪声抑制比,低频段可达86.3 dB,1 MHz则是62.0 dB,LDO各项性能参数均达到设计目标.