MoS2纳米薄膜及纳米线结构制备研究

• 作者: 成桢 郭炳瑞
• 来源期刊: 中国钼业
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 MoS2纳米薄膜 表面形貌 微观结构 纳米线
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 选矿·冶金·化学|MINERAL PROCESSING, MEIALLURGY AND CHEMISTRY
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.13384/j.cnki.cmi.1006-2602.2022.01.006

摘要

使用射频磁控溅射法在硅和玻璃衬底上制备系列MoS2纳米薄膜,并利用SEM、XRD对薄膜的表面形貌和微观结构进行表征,分析了衬底、功率和退火温度等制备条件对MoS2纳米薄膜表面形貌及结晶状况的影响.研究结果表明:退火温度对薄膜的表面形貌的再次生长有明显作用,在溅射功率40 W、本底真空4.0×10-4 Pa、工作气压3 Pa、溅射时间4 h的条件下可以制备较为平整的MoS2薄膜,尤其在退火温度300℃时MoS2薄膜表面可以生长出直径约为50 nm、长度为1.8μm的纳米线.