原文服务方: 湖南大学学报(自然科学版)       
摘要:
基于90 nm SOI CMOS工艺实现的应用于无线局域网的2.4 GHz集成的单刀三掷(SP3T)射频开关和低噪声放大器.射频开关采用了一种低功耗的等效负压偏置方法,该方法能够在不使用负电压的前提下使关断状态晶体管获得等效的负压偏置,从而提高射频开关的线性度.低噪声放大器采用了负反馈技术和导数叠加技术提高线性度,利用导数叠加技术减小低噪声放大器的三阶非线性,进一步提高了负反馈低噪声放大器的线性度.低噪声放大器与射频开关集成,并带有Bypass衰减通路.测试结果表明,射频开关的发射支路实现了0.95 dB的插入损耗和34 dBm的输入1 dB压缩点,蓝牙支路具有1.68 dB的插入损耗和30 dBm的输入1 dB压缩点.在2 V供电下,接收支路在高增益模式下具有15.8 dB的增益,1.7 dB的噪声系数和7.6 dBm的输入三阶交调点,功耗28.6 mW,在Bypass模式下具有7.2 dB的插入损耗和22 dBm的输入三阶交调点.
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关键词热度
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文献信息
篇名 一个2.4 GHz集成的SP3T射频开关和低噪声放大器
来源期刊 湖南大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 无线局域网 低噪声放大器 射频开关 线性度
年,卷(期) 2024,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 172-181
页数 10页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2024236
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研究主题发展历程
节点文献
无线局域网
低噪声放大器
射频开关
线性度
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
湖南大学学报(自然科学版)
月刊
1674-2974
43-1061/N
16开
1956-01-01
chi
出版文献量(篇)
4768
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