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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】美国商务部日前宣布了对中国光伏电池及组件的反倾销税初裁结果,税率达31.14%至249.96%,终裁结果将在十月初宣布。专家表示,一旦最后确定,这将是迄今为止我国新能源行业被征收的最高...
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2. 无锡市半导体行业协会成立刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】旨在发挥协会桥梁与纽带作用、推动无锡集成电路产业链更好、更快、更强发展的无锡市半导体行业协会,日前成立。中国工程院院士许居衍、清华大学微电子学研究所所长魏少军、中国科学院微电子研究所所...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】摩尔定律是推动集成电路性能前进的影响力参数。在过去数十年里集成电路数量每两年就翻一倍。现在这个步伐已经被超越?至少14 nm制程和FinFET技术的开发商是这么看的。英特尔、IBM、东...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】北京时间5月17日消息,据国外媒体报道,英特尔对7 nm和5 nm制程技术研发路线图已经敲定。今年四月,英特尔刚推出采用22 nm制程的Ivy Bridge芯片。但现在该公司已经开始展...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势,飞兆半导体公
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件,适用于电池保护与逆变器开...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOS-FET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】据物理学家组织网5月9日报道,美国加州大学河滨分校伯恩斯工程学院的研究人员开发出一种新技术,可借助石墨烯实现大功率半导体设备的大幅降温,解决在交通信号灯和电动汽车中使用的半导体材料散热...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】石墨烯由于可被制造成导体、半导体和绝缘体,因而一直被视为是未来的神奇材料。现在,IBM公司还为石墨烯开启在光电领域的崭新应用——透过展示一种可为石墨烯带来光子特性的石墨烯/绝缘体超晶格...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】据物理学家组织网4月16日报道,美国威斯康辛大学米尔沃基分校的科学家发现了一种全新的碳基材料——一氧化石墨烯(GMO),其由碳家族的神奇材料石墨烯合成,该半导体新材料有助于碳取代硅,应...
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11. 全SiC功率模块:锐减体积与功耗刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】罗姆株式会社推出的"全SiC"功率模块(额定1200V/100A)近期开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC构成。此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力转换的变频...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】采用碳化硅取代传统的硅半导体材料制作的电力芯片能减少75%的能耗,碳化硅半导体已成为国际上公认的将引领电力电子,特别是大功率电力电子下一个50年的最佳电子材料。记者从厦门火炬高新区翔安...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】日本京都大学工学研究系电子工学专业教授木本恒畅等人的研究小组,试制出了耐压高达21.7 kV的SiC制PiN二极管。此前虽有耐压为十数kV的半导体功率元件,但超过20 kV的尚为首次,...
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14. 8英寸氮化镓上硅芯片成功研发刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商Bridgelux公司,以及全球领导半导体制造商Toshiba公司,昨日共同宣布成功开发出业界最高水准的8英寸氮化镓上
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】日本电信电话(NTT)宣布,开发出了可将LED等使用的GaN(氮化钾)类半导体薄膜元件从蓝宝石基板上轻松剥离下来的工艺。采用该技术能够以低成本制造厚度为2
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16. 日本制造出只有一个原子厚的硅薄膜刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】日本北陆尖端科学技术大学院大学30日宣布,其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜"silicene"的技术。这种只有一个原子厚的薄膜,可具备半导体的性质,有望用于制造高速电子线路等。研究小...
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17. 3D成半导体微细加工技术必然趋势刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】3D已经成为半导体微细加工技术到达物理极限之后的必然趋势,目前正处于3D工艺的探索期。在这一过程中,以及今后在实现3D工艺的发展趋势中,半导体产业发展模式到底如何演义,会不会成为
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】飞兆半导体公司和英飞凌科技公司日前宣布已就英飞凌的H-PSOF(带散热片的小外形扁平引脚塑料封装)先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】意法半导体是全球第一家量产采用塑料封装的MEMS麦克风的半导体公司。从手机和平板电脑到噪声计
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】意法半导体和全球最大的硅光电技术设计商Luxtera宣布,将结合位于法国Crolles的意法半导体300mm晶圆厂的制造工艺及Luxtera
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】美国Cree公司开发出了发光效率高达254 1m/W的白色IED,并在德国法兰克福举行的全球最大规模国际照明暨建筑技术展
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】据物理学家组织网近日报道,一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本,进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究,成功在硅衬...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】中科院LED照明研究所研制成功LED灯芯片制造的关键设备MOCVD,使我国LED设备制造进入一个新的历史阶段。
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】外媒日前报道,市场分析家MikeCowan依据WSTS(世界半导体贸易统计协会)的数据,应用线性回归分析
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】全球半导体市场热点正逐渐由CPU向AP转移。目前Snapdragon、Exynos、OMAP等几大应用处理器主导市场,其中三星占据最大份额,未来产业格局又将如何分布
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】市场研究机构IHSiSuppli的最新报告指出,随着半导体产业加速成长,仿冒元件可能会成为越来越常见的问题;据该机构统计,在2011年,全球查获仿冒半导体元件案件数量达到创新高纪录的1...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】市场研究机构Gartner预估,2012年印度市场的半导体组件消耗量将会是全球成长最快的,金额达到92亿美元,较2011年成长20%。"印度半导体组件消耗量的成长动力,来自当地人口的增...
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28. 台湾半导体行业预示国际贸易复苏刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】对全球贸易而言,台湾半导体公司就像是煤矿里的金丝雀,而且它们还在鸣叫。电脑和手机在中国大陆组装,然后被运往欧洲和美国,而半导体是生产这些产品的关键材料。所以半导体的生产状况成了预示国际...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】沈阳罕王集团是中国东北的大型民营铁矿生产集团,该公司已开始为微机电系统(MEMS)兴建一家大型晶圆厂。晶圆厂2012年3月动工兴建,位于沈阳以东40英里左右的抚顺。罕王计划投资30亿元...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 【正】三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产...
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