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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】为加快培育和发展节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等战略性新兴产业,国务院近日印发《"十二五"国家战略性新兴产业发展规划》(以下简称《规划》)。《...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】7月18日消息,中国质量认证中心于今日召开"国推RoHS认证研讨会暨首批获证企业颁证仪式",宣布正式实施电子信息产品污染控制自愿性认证。此前,国家认监委、工业和信息化部确定并发布了从事...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】近日,广东省质监局WTO/TBT中心透露,近日陆续收到了欧盟、美国、智利、乌干达等国关于LED灯具方面的TBT(贸易技术措施)通报。通报法规对进入国的定向灯和LED灯具产品设置了更高门...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】美国的国会议员已经提出立法案,旨在杜绝仿冒半导体组件流入美国;那些日益猖獗的仿冒组件已经成为美国国家安全与关键基础设施的严重威胁。上述立法提案是由众议员
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】全新60 W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统,对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求。科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S波段雷达中的高效GaN HEMT...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50 V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT<sup></sup>公司宣布,已推出针对4G无线基站的业界最低功耗低失真多样化混频器。作为IDTZero...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】RFMD新推出的RFCA3302是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器,无需外部降压电阻器即可在+5 V单电源下工作。该组件具有高增益、高线性度和低失真的特点,且可在40 MH...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET<sup></sup>功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】据物理学家组织网6月15日报道,最近,美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法,首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路,即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】据报道,美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能,并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合,让人们离超低功耗光通信近了一步,让该技术在光互连以及...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28 nm巨大产量与20 n...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】SEMI的晶圆厂工具供应商贸易部门资深分析师Christian Dieseldorff在近日的SemiconWest演讲中表示,首家使用450 mm晶圆生产半导体的晶圆厂预计将在201...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】更多挑战典型WCSP工艺的一个常见问题是缺少最终封装测试。大多数情况下,最终电气测试都是在凸块回流后在晶圆层进行。因此,在制造过程的这一"后端"部分,必须进行高强度的目视检查,其包括激...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】上海宏力半导体制造有限公司(以下简称"宏力半导体"),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0.18μm"超低漏电"(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器,振荡波长为530 nm,连续振荡时可实现100 mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发表振荡波长为531 nm的绿色半导体激光器,但当...
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18. 应材蚀刻技术大突破刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】半导体设备大厂应用材料推出最先进的蚀刻技术—AppliedCenturaAvatar介电层蚀刻系统,这项突破性的系统是解决建立3D存储器架构的严峻挑战;3D存储器架构可提供高密度兆位元...
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19. 日研究不怕消磁的材料刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】日本理化研究所研究人员在近日的美国《物理评论通讯》杂志网络版上发表论文说,他们发现一种人工合成的镉锇氧化物在特定温度下由导体变为非磁性半导体的原因。这种特性使其能够成为不怕消磁的存储新...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,日前宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)阵列增加13款新产品。新的IGBT包括采用650 V电压的RJH/RJP6...
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21. 半导体新突破成大研发新材料刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】台湾成功大学研究团队研发半导体封装的新材料,价格低、性质更稳定,将成为半导体界最先进优良的材料。笔电、手机等3C产品都需要半导体晶片,而半导体晶片要变成电子元件就必须透过封装的过程。成...
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22. 多国确定人工制造石墨烯指南刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】尽管石墨烯具有非凡的特性,但并不完美。然而,它是一个非常好的样品,可以基于它改造出具有新特性的完美材料。据物理学家组织网近日报道,一个来自美国、加拿大、法国和捷克共和国的国际科学家团队...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】根据最新的预测,2016年全球半导体市场营业额将突破4000亿美元大关,达4116亿美元,创下半导体市场新里程碑。回顾半导体市场历史,1980年全球半导体产业的营业额首度达100亿美元...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】SICAS(国际半导体产能统计协会)最新发布的报告显示,2012年全球半导体市场增长率将在4%左右,而2011的数字仅为0.4%。2012年在存储产品和移动产品需求拉动下,全球半导体市...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】市场研究机构IHSiSuppli的最新报告指出,全球半导体供应商由于预期客户有较高的需求,在2012年第一季再度提高库存水位;据统计,第一季全球半导体供应商库存量占据厂商当季营收的五成...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】根据IDC(国际数据公司)2012年中更新的《半导体应用预测》(SAF),2012年全球半导体产业收入将增长4.6%,达到3150亿美元。最新的SAF还预测,2013年半导体产业收入将...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】市调机构YoleDeveloppement指出,包括分立式半导体、模组和IC在内的功率元件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用,以及从太阳能逆变...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】随着降低环境负荷的要求日益提高,功率元器件市场在不断增长。而且,为了进一步减少电力损失,以SiC等新一代材料取代现行Si的动向也日益活跃。日前,记者就蓬勃发展的功率元器件市场,采访了曾...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】据市场研究机构IHS iSuppli的报告显示,中国微控制器(MCU)市场预期在2015年达到47亿美元的营收规模,在之前5年里保持60%的增在长率。工业和消费电子市场占据最大份额,而...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 【正】全球功率半导体(powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后,2012年将进一步成长5.0%,达到320亿美元规模。全球功率半导体市场2010年成长率高达37...
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