半导体信息期刊
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半导体信息

Semiconductor Information

《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向,坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导,贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针,坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播先进的科学文化知识,弘扬民族优秀科学文化,促进国际科学文化交流,探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。
主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
双月刊
邮编:
210016
地址:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
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  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  1-2
    摘要: 【正】中共中央政治局常委、国务院副总理李克强近期到中国科学院半导体所考察。他强调,要围绕经济社会发展和民生改善的需要,着眼促进经济长期平稳较快发展,以体制改革推进结构调整,更好地发挥科技创新...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  2-4
    摘要: 【正】在向西开放战略背景下,以其为载体的西部新区"五朵金花"正渐成气候。9月26日,在第十三届中国西部国际博览会上,国家发改委副主任杜鹰指出,西部地区是新时期对外开放的重点地区,加快向西开放...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  4-8
    摘要: 【正】多年来,英特尔科技和制造集团副总裁迈克·梅佰里(Mike Mayberry)曾不止一次听到相同的世界末日预言:摩尔定律将会失效。梅佰里甚至听到过同事这样说。但是,由于大量像梅佰里这样的...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  8-8
    摘要: 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  8-10
    摘要: 【正】日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET,最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。新系列产品根据用途采用6种封装...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  10-11
    摘要: 【正】近日,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管,助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求,瞄准太阳能微逆变...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  12-13
    摘要: 【正】全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,适合在10kHz以下工作的电机驱动...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  13-14
    摘要: 【正】意法半导体推出了用于太阳能模块的新一代高能效的冷却旁路开关(CoolBypass SWitch)系列。新产品可进一步提高太阳能发电效率并降低再生能源发电的每瓦成本。业内最小的尺寸使其可...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  14-15
    摘要: 【正】英飞凌科技(Infineon)日前发表首款工业与商用感测用雷达单芯片解决方案。新款产品系列采用硅锗(SiGe)制程技术,并以24 GHz ISM频段(24.0-24.25 GHz)运作...
  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  15-17
    摘要: 【正】科锐公司宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度,与传统技...
  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  18-19
    摘要: 【正】TriQuint半导体公司发布了三款新的射频SAW(声表面波)滤波器—856934、857019和856977,这三款器件可经济有效地提高在3G/4G网络基础设施和传统系统应用中的性能...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  19-20
    摘要: 【正】2012年9月6日,技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司,推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓(GaAs)射频驱动放大器——TQP7M9105、TQP7M9106,...
  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  21-22
    摘要: 【正】蒙彼利埃和CNRS(法国)大学的研究人员已经实现了硅衬底上直接外延一体化的一个Ⅲ-Ⅴ半导体激光二极管。该二极管由D’ELECTRONIQUEDUSUD研究所(IES)nanoMIR组制...
  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  22-25
    摘要: 【正】下变频和上变频功能在大多数高频接收机和发射机中经常是以常常被忽略的元件-射频/微波混频器的方式实现的。在过去20多年中,混频器的外观发生了很大的变化,如今的封装类型种类也非常繁多。不过...
  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  25-26
    摘要: 【正】NEC与日本东北大学开发出了"自旋热电转换(SpinThermoElectric:STE)元件"。这种元件可通过涂布工艺制作,因此家里的屋顶、汽车和个人电脑等日常生活中所有带有热量的东...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  27-27
    摘要: 【正】科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米4HN型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降低设备成本,并能够利用现有150毫...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  27-28
    摘要: 【正】据物理学家组织网9月12日报道,由多伦多大学物理学家领导的国际研究小组利用透明胶带首次在半导体内诱发出了高温超导现象。这一方法为研制可用于量子计算机和提升能效的新型设备铺平了道路。相关...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  31-32
    摘要: 【正】挪威科技大学的研究人员开发出一种低成本的方法,能够在砷化镓纳米线上生长出石墨烯。研究人员称,这种石墨烯半导体混合材料具有优良的光电性能和透明、可弯曲等特性,有望加速石墨烯的商业化进程,...
  • 作者: 江兴
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  32-33
    摘要: 【正】X-FAB,这家已经出货超过十亿MEMS器件的晶圆厂,近日又再次发表业界首个为微机电系统(MEMS)三轴惯性传感器(3Dinertialsensor)提供的开放性平台,一个可以直接从代...
  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  33-34
    摘要: 【正】高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其RFMD业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  35-35
    摘要: 【正】近期看到FPGA大厂陆续推出3D系统晶片,令人想起几前年半导体产业开始积极推展的3D晶片,似乎经过几年的酝酿,目前开始看到该技术的开花结果。只不过,Altera台湾区总经理陈英仁指出,...
  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  35-36
    摘要: 【正】英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示,英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外,英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。...
  • 作者: 吴琪乐
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  36-37
    摘要: 【正】1,技术壁垒半导体分立器件的研发生产过程涉及量子力学、微电子、半导体物理、材料学等诸多学科,需要综合掌握外延、微细加工、封装等多领域技术工艺,并加以整合集成,属于技术密集型行业。随着下...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  38-40
    摘要: 【正】在2010年全球半导体业增长32%之后,2011年及2012年连续两年增长在1%左右,因此业界部分人士根据半导体产业周期性的规律,预测2013年会是又一个高增长年。这一预测可信度有多高...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  38-38
    摘要: 【正】市调机构Gartner于4日举办"第18届Gartner半导体全球巡回论坛",Gartner执行副总裁JohnBarber表示,原预估2013年全球半导体的营收约可达3460亿美金,年...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  40-41
    摘要: 【正】意法半导体(ST)率先将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产。在意法半导体的多片MEMS产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内,硅通孔技术以垂直短线方式取代传统的芯片互连线方法,在尺...
  • 作者: 郑冬冬
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  41-42
    摘要: 【正】近日,中芯国际二期项目在北京经济技术开发区奠基,将建设2条产能各为3.5万片的生产线。建成后将实现技术水平为32-28纳米的芯片在国内量产"零"的突破,进一步减弱国内高技术芯片对进口的...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  42-43
    摘要: 【正】根据IC Insights研究报告表明,在众多的半导体厂商中,研发投入最多的是英特尔,以去年总研发投入84亿美元排在第一位,而三星领先意法4亿美元的微弱优势排在了第二位。对于意法这个财...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  43-44
    摘要: 【正】三星半导体部门明年资本支出传将较今年腰斩,下探62,5亿美元,可能远低于台积电。台积电明年资本支出有望首度超越三星,在业界"坐二望一",有机会与英特尔拼龙头宝座。业界分析,三星大砍明年...
  • 作者: 赵佶
    刊名: 半导体信息
    发表期刊: 2012年5期
    页码:  44-44
    摘要: 【正】中国大陆反日情绪高涨,日本半导体、面板等业者,正密切注意大陆市场的变化,由于大陆是全球最大电子产品组装重镇,而日本业者又是主要晶片或零组件供应商,一旦反日情绪失控,断链危机再度发生的机...

半导体信息基本信息

刊名 半导体信息 主编
曾用名
主办单位 中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所  主管单位
出版周期 双月刊 语种
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