28nm到14nm工艺代沟,全耗尽硅技术如何弥补

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: NM 加值 技术进步 埋层 传统工艺技术 生产步骤 厚度均匀性 基板 静电泄漏 预定义
• 年，卷（期）: bdtxx_2012,（4）
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN305

摘要

【正】今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28 nm巨大产量与20 nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14 nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧