科锐推出新型S波段GaN晶体管器件

• 作者: 江兴
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: S波段GaN 功率密度 MESFET 高功率放大器 雷达系统 漏极 微波集成电路 单片式 信号保真度 脉冲功率
• 年，卷（期）: bdtxx_2012,（4）
• 页码范围: 5-6
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】全新60 W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统,对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求。科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S波段雷达中的高效GaN HEMT晶体管。新型S波段GaN HEMT晶体管的额定功率为60 W,频率为3.1至3.5GHz之间,与传统Si或GaAs MESFET器件相比,能够提供优越的漏极效率(接近70%)。同时,高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求,并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。