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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】继前十届中国半导体市场年会的成功举办,作为2014年半导体领域最为重要的年度会议"2014中国半导体市场年会暨第三届中国集成电路产业创新大会(IC Market China2014)"...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】继北京公布300亿元人民币半导体产业基金后,证券时报最新披露,上海、江苏、深圳可能都将在大陆全国"两会"后,公布规模上百亿元的产业基金,由各地政府领军,吸纳社会资本。初步预测,至少有千...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】2013年全球半导体市场规模首次突破3000亿美元大关,达到了3056亿美元,增幅为4.8%。我国集成电路产业销售额达到了2508.5亿元,同比增长16.2%。在全球经济缓慢复苏的带动...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAKSC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vish...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出100 V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,为通信应用中的DC-DC电源提...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】全球领先的步进电机及运动控制供应商TRINAMIC宣布,推出一系列分立MOSFET集成电路芯片,这个系列是特别为TRINAMIC的热门电机驱动和预驱动芯片而设计的互补型产品。该全桥/半...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备,开发出世界最小尺寸的晶体管"VML0604"(0.6mm×0.4mm,高度...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】射频功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体公司日前推出首款2W集成式功率放大器,采用5V电源,可提供超过40dB的增益,可覆盖1500MHz至2700MHz的所有频段。该组件可支持在...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】2014年2月24日,英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A1350V器件,再次扩充逆导(RC)软开关IGBT产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】射频功率技术领先供应商飞思卡尔半导体日前宣布,为手持移动无线电应用推出一款6W的新器件—AFT05MS006N。凭借这个旗舰型Airfast RF功率解决方案组合的最新产品,飞思卡尔成...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)IRG7PK35UD1PbF,新器件为电磁炉...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前宣布11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市,这个产品可满足美国国防电子产品应用的要求,这是2013年6月公布的公司射频功...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】在上海举办的慕尼黑电子展上,著名半导体厂商ROHM(罗姆)展示了已经量产的世界最小级别贴片电阻器SMR003,实现了世界上最小的贴片尺寸03015尺寸(0.3mm×0.15mm)。此外...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】ROHM(总部位于日本京都)开发出适合于车载和工业设备等需要大功率的整机电流检测用途的、实现大功率与超低阻值的分流电阻器"PSR系列"。PSR400保证的额定功率为4 W,PSR500...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高效率副边MOSFET驱动器LT8311,该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】日前,德州仪器(TI)宣布推出两款可为5至100W AC/DC电源实现最高能源效率与最低待机功耗的反激式电源解决方案。该UCC28910 700V反激式转换开关与UCC28630高功率...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】近日,Silego于美国加州圣克拉拉推出一款基于Silego亚微米铜制程电源FET技术的16mΩ双通道GreenFET3负载开关产品即SLG59M1527V。该款负载开关每条通道最高电...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】东京-东芝公司2014年1月28日宣布推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器,用于驱动中小功率IGBT和功率场效应晶体管(MOSFET)。批量生产定于1月底开始。新产品"TLP570...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】2014年2月19日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布采用小尺寸3.85mm×3.85mm×2.24mm顶视SMD封装的新款850nm红外发射器—VSMY...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】信息时代的到来,是对信息获取技术的考验,也是对信息可靠性及准确性的考验。为了从外界获取准确可靠的信息,人们必须借助于传感器。它作为人类感官的延长,是我们获取自然和生产领域中信息的主要途...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】2014年3月13日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)积极扩大压力传感器的市场份额,新推出的LPS25H微型压力传感器以其为移动应用优化的独特创新功能赢得...
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23. 芯片电感器:颠覆传统电路设计刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】美国加州大学柏克莱分校(UC Berkeley)的科学家们表示已经找到一种可推动芯片电感器(on-chip inductor)技术进展的新方法,将有助于催生新一代微型射频(RF)电子与...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】近年来,二维晶体材料因其优越的电气特性,成为半导体材料研究的新方向。继石墨烯、二硫化钼之后,近日,在《自然·纳米技术》杂志上,复旦大学物理系张远波教授课题组发现了一种新型二维半导体材料...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】2014台湾半导体产业协会(TSIA)年会于近日登场,台积电董事长暨TSIA名誉理事长张忠谋以"Next Big Thing"为题发表演说。张忠谋表示,他认为摩尔定律虽已"苟延残喘",...
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26. 半导体行业2014迎来大年刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】全球半导体行业2014迎来大年:半导体产业去库存化已至较低水平,订单回补有望使一季度淡季不淡,二季度会更好。全球半导体产业新一轮上升周期开始。中国半导体进口替代正在进行:全球半导体产业...
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27. 半导体市场发展十大重点领域刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】有专家称,智能终端市场远没有达到饱和,未来半导体市场有十大重点领域值得关注:第一是智能终端。立足智能终端市场的企业,很多都获得了回报,比如展讯、同方。而且这个市场远没有达到饱和阶段,未...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】随着品牌众多的智能手机配备更多功能、价格逐渐下降、以及可穿戴设备的推行,半导体领域将呈活跃趋势,廉价手机的需求会转移至中低端市场……基于4大原因:智能手机将配备更多的功能、更多新手机厂...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】自谷歌推出智慧眼镜,SONY、三星等推出智慧手表等引爆了穿戴式装置的话题与风潮。穿戴式装置不仅具备资讯娱乐、运动健身、医疗照护及工业/军事等四大应用领域,内建许多如陀螺仪、重力/加速/...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第六届年度产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm×3....
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