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国外核聚变期刊
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国外核聚变1995年出版文献
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国外核聚变
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曾用名:
国外核聚变与等离子体应用
主办单位:
四川省核学会
ISSN:
CN:
出版周期:
双月刊
邮编:
610041
地址:
四川省成都市432信箱
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1990年
目录
1.
JT—60U的氘实验
作者:
张一鸣 竹内浩
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
1-9
摘要:
为提高等离子体性能,JT-60从1988年秋开始投入改造,以谋求增大等离子体电流、等离子体体积以及加热功率,1991年3月改造完成,命名为JT-60U并立即投入实验,同时增添了氘放电气需的各...
2.
在DⅢ—D欧姆L模式和ELMH模式运行期间等离子体密度…
作者:
Petr.,TW 石建
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
10-22
摘要:
3.
STE—2反场箍缩极向偏滤器实验的首批结果
作者:
Iida.,M 胡明
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
23-27
摘要:
已在有一个外偏滤器室的放电容器中产生了有单极向零的反场箍缩。在目前的实验中没有装上导电壳。极向偏滤器位形维持的时间为壁的时间常数,在磁起伏中m=1撕裂模的优势不受偏滤器位形的影响。采用偏滤器...
4.
托卡马克的实验结果
作者:
Wolf,GH 荒禾
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
28-38
摘要:
本文从MHD不性、等离子体中快粒子、电流分布、面对等离子体的材料、等离子体加热和电流驱动、热和粒子排出及等离子体约束等方面,扼要介绍了托卡马克的主要实验结果。
5.
大功率电力电子器件的发展水平和在核聚变实验研究中的应用
作者:
王德泰
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
36-46
摘要:
本文简要而全面地介绍了大功率电子管和电力半导体器件目前国外发展概况以及在核聚变实验研究中的一些应用。
6.
离子束—中性束技术及离子束应用技术的发展动向
作者:
王惠三
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
47-51
摘要:
离子束-中性束技术和离子束应用技术是离子束技术中的两个重要方面,其发展方向取决于科学研究和应用技术开发的需要,本文简述了它们的现状和发展动向。
7.
聚变高功率RF技术在非聚变领域的应用
作者:
Wihelm,R 华和
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
52-59
摘要:
本文介绍了在几MHz到几GHz(微波频率)的频率范围内高功率射频技术应用的几个例子。所有例子都涉及到在用于许多重要的技术工艺时非聚变等离子体的RF产生。一些具体的项目是:用于此出离子束的感应...
8.
使用圆柱形旋转磁控管的共溅射和顺序共溅射
作者:
Belki.,A 吴鼐
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
60-69
摘要:
共溅射允许沉积多种混合材料,使用一套双圆柱形旋转磁控管设备,现在则可将共溅射用于大面积在线沉积。将圆柱形磁控管设备的磁体倾斜,可使靶的交叉污染增加,从而改善靶的表面并使薄膜的成分沿深度的分布...
9.
离子束微制作
作者:
Gamo.,K 罗治
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年1期
页码: 
70-76
摘要:
离子束微制作技术对甚大规模集成电路、超大规模集成电路或者未来量子效应器件的制作由于其独特性能而越来越起重要的作用。并且它具有广泛的用途,包括蚀刻、沉积、掺杂、材料合成和改性以及平印术。对于蚀...
10.
ASDEX托卡马克的H模式
作者:
Holzh.,E 伍许
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
1-5
摘要:
我们研究了ASDEX托卡马克中的L-H转变。在删削层中和在分界面内的一个穿区域内起伏水平在100μs时标内下降。磁湍流和来自边缘的密度湍流显示出类似的性能,磁充是用磁探针测量的。
11.
DⅢ—D中H模式研究的综述
作者:
Groe.,RJ 巴兵
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
6-12
摘要:
DⅢ-D规划的主要部分包括L-H转变、VH模式、粒输运和控制以及偏滤器功率处理能力的研究,在所有这些方面已取得重大进展。而本文的目的是总结最近两年以来所获得的主要结果。
12.
JET的高性能H模式综述
作者:
学人 荒禾
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
13-24
摘要:
本文对1992年前JET系列实验中通过H模式状态的实现而建立的高性能等离子体作了综述。在这个情况下,高性能用相对于L模式定所达到的约束增强来量度,这种约束增强是利用等离子体抗磁性测量的。
13.
JET中的VH模式
作者:
Deliy.,N 李锐
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
25-31
摘要:
14.
PBX—MH模式结果的评述
作者:
Kaye.,SM 胡明
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
32-39
摘要:
15.
ASDEX—U中的H模式结果
作者:
Ryter.,F 思明
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
40-45
摘要:
16.
COMPASS—D中欧姆H模式的特性
作者:
Caro.,PG 万树德
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
46-50
摘要:
17.
在TFTR氘等离子体中超放电向孔栏H模式的转变
作者:
Buch,CE 沙石
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
51-55
摘要:
18.
L—H分叉动力学
作者:
Carr.,BA 万树德
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
56-59
摘要:
19.
金属部件的射频氧等离子体清洗:过程研究
作者:
Korzec,D 华和
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
60-71
摘要:
研究了用电容耦合13.56MHz低压氧放电来除去金属表面上的各种润滑剂(油和黄油)。不锈钢、工具钢、黄铜、铝和铜用作基底材料。在这种放电中,在金属表面上发生的离子轰击和化学反应可以提供高的清...
20.
利用离子植入的聚酰亚胺的硬化及脆变
作者:
Pivin,JC 林倩晶
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年2期
页码: 
72-77
摘要:
21.
ASDEX—U中MARFE和密度极限的实验研究
作者:
Merte,V 李锐
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
1-12
摘要:
在ASDEX-U上,对宽范围等离子体参数的气体加料、欧姆加热的单零放电,研究了X点MARFE的形成及其直到密度极限的行为。参数范围是:Ip=0.16-1.2MA ,BTF=1.35-2.4T...
22.
JT—60U中磁场波纹对H模式性能的影响
作者:
Van,Bl,A 思明
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
13-18
摘要:
本文研究了JT-60U中环向场波纹对总H模式性能的影响。波纹的大小随等离子体体积的改变而变化。用监测到第一壁的局部热负载,已测出了波纹损失,并用轨道追踪蒙特卡罗编码模拟了这种波纹损失。在把净...
23.
TFTR中氘—氘聚变产物的反常损失
作者:
Zweb,SJ 林倩晶
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
19-30
摘要:
在TFTR^[1]中类a氘-氘(D-D)聚变产物至少有三种反常损失:(1)与米尔诺夫振荡和鱼骨型振荡以及锯齿崩溃有关的磁流体动力学(MHD)引起的D-D聚变产物的损失;(2)在无大的MHD活...
24.
JT—60U和JFT—2M中最近实验结果的综述
作者:
Mori,M 胡明
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
31-42
摘要:
本文报道在JT-60U和JFT-2M中H模式的最近实验结果。在JT-60U中具有边缘输运位垒的增强约束模式(H模式)的特点是高的边缘离子温度。约束改善完全与边缘离子温度有关。在JT-60U中...
25.
氘氚燃烧实验综述
作者:
荒禾
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
43-54
摘要:
JET和TFTR已分别于1991年11月和1993年12月进行了初步的氘氚烯烧实验,获得了最大1.7MW和6.2MW的聚变功率。TFTR在短暂停 机后,1994年初又开始了例行的氘氚实验。...
26.
SiC中离子植入诱导的化学和成分的变化以及由此引起的氢渗透特性
作者:
Miote,A 万树德
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
55-66
摘要:
SiC晶体薄膜是科学技术感兴趣的材料,因为它有着多方面的潜在应用,如用于光电子学、高温半导体器上,用做核聚变装置第一壁材料(涂在不锈钢器壁表面上),以及用作高耐磨材料(也是涂在钢件表面上)。...
27.
用于金刚石沉积的一种简单微波等离子体源
作者:
Khach,J 刘世权
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
67-69
摘要:
我们描述一各上简单的为等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜而建造的微波等离子体源。用700W 民用微波炉磁控管,把微波功率输进一个用水冷却的圆柱形不锈钢真空容器中。把放进容器中的甲烷/氢气混...
28.
使用永久磁铁的大面积电子回旋共振等离子体源
作者:
Shida,N 沙石
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
70-72
摘要:
通过使用永久磁铁和应用微波汽笛模发射产生了一种大面积电子回旋共振(ECR)等离子体,已产生了一种均匀等离子体,其均匀度在直径20cm范围内为±3.5%和直径16cm 范围内为±1.8%;等...
29.
高密度电感耦合等离子体反应器在多晶硅蚀刻中的应用
作者:
Patri,R 张振德
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年3期
页码: 
73-78
摘要:
一种电感耦合高频(13.56MHz)等离子体反应器已用于互补型金属氧化物半导体(CMOS)门电路制造中的多晶硅蚀刻。该系统包括一个置于反应室顶部缘板之上供电的平线圈。用朗缪 尔探针测量表明...
30.
DⅢ—D的最新结果
作者:
Pete.,PI 李锐
刊名:
国外核聚变
发表期刊:
1995年4期
页码: 
1-8
摘要:
本文总结了DⅢ-D最新实验结果及相关硬件的改进。DⅢ-D规划集中在解决下一代托卡马克,比如ITER和TPX的偏滤器问题及发展具有增强约束和稳定特性的位形上;这将导致更加紧凑和经济的聚变堆。D...
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国外核聚变基本信息
刊名
国外核聚变
主编
曾用名
国外核聚变与等离子体应用
主办单位
四川省核学会
主管单位
出版周期
双月刊
语种
ISSN
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610041
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