半导体光电期刊
出版文献量(篇)
4307
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半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位:
重庆光电技术研究所
期刊荣誉:
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号44所内
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  • 作者: 余金中
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  305-309
    摘要: 根据对日本九所研究所和大学的实地考察,综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展,这些光电器件主要包括多波长光源和波长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光...
  • 作者: 叶志镇 王亚东 黄靖云
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  310-313
    摘要: 半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点.以S-K生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点.由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能.介...
  • 作者: 刘明大 刘雨微 张素梅 李献杰 李红岩 石家纬 高鼎三 齐丽云
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  314-316
    摘要: 通过将下波导层掺杂为p型,使半导体激光器的有源区与pn结分离,制作了大功率远结半导体激光器.该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势.理论分析表明,远结半导体激光器特殊的外延结构,决定了器件...
  • 作者: 吴重庆
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  317-320,324
    摘要: 从光耦合器的耦合方程出发,全面分析了光耦合器与环路光纤的模耦合与双折射对NOLM开关特性的影响.研究表明,在耦合器为弱耦合条件下,环路光纤的模耦合和耦合器的分光比是影响NOLM开关效率和消光...
  • 作者: 黄裕年
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  321-324
    摘要: 光导半导体开关已用于脉冲功率系统,如点火装置、超宽带脉冲发射机、紧凑型加速器和电感储能设备等,光导半导体开关为现有的脉冲功率技术提供了多方面改进.介绍了在这些应用中的开关参量和一些特殊要求,...
  • 作者: 任大翠 吴根柱 张兴德 张宝顺 曲轶
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  325-327
    摘要: 利用速率方程理论讨论了半导体微腔激光器的激射阈值与自发发射耦合系数β之间的关系,分析了降低阈值的途径,为器件设计提供了依据.
  • 作者: 何山虎 刘雪芹 杨映虎 王印月 甄聪棉 闫志军 龚恒翔
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  328-331
    摘要: 在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触, 用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性,并对大电流情况进行了讨论.就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析.定性给出了该接触的能带模型...
  • 作者: 李桂梅 王麓雅 黄建平
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  332-334,365
    摘要: 以声子格林函数理论为基础,研究了简立方晶体薄膜的声子结构,推导了简立方晶体薄膜的声子布里渊光谱的线形公式,并给出了数值计算的结果.计算结果表明,在晶体薄膜中,除了长波长声子外,短波长声子也参...
  • 作者: 郭玉彬
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  335-338
    摘要: 提出了一种新型的用作多信道切换的光分/插复用器,它由多个可调谐光纤Bragg光栅、一对光纤环行器、WDM复用器和解复用器构成.讨论了该分/插复用器的结构、性能和特点.利用磁极间磁场力使光纤光...
  • 作者: 李爱珍 汪乐 王嘉宽 胡雨生 陈晓杰
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  339-341,345
    摘要: 报道了优化的p-n型Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺.分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极,并分别在450 ℃和350 ℃下快速合金化...
  • 作者: 刘国驷 周浩强 马君显
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  342-345
    摘要: 提出了一种能实现光CDMA通信的可调光正交码编/解码器的方法.该方案基于传统的"并-串式"可调光正交码编/解码实现方案[1],并力求减少编解码器中的电光开关的数目以降低成本和损耗,具有结构简...
  • 作者: 刘颂豪 廖常俊 文尚胜 范广涵
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  346-348
    摘要: 根据已经发表的有关文献实验数据,针对InGaAlP发光材料的LP-MOCVD生长,给出了描述In组分偏离的经验表达式,可应用于InGaAlP双异质结生长中In组分的控制.
  • 作者: 刘林 吴正茂 夏光琼 覃朝玲 陈建国
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  349-351
    摘要: 提出了利用分步傅里叶方法计算光脉冲在光纤中传输时间跨度的选取方法,给出了正确模拟光脉冲通过不同长度的光纤后光脉冲的变化所要选取的最短的时间跨度,即计算过程中所取的积分上下限之差.在此基础上,...
  • 作者: 强希文
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  352-354
    摘要: 从描述载流子输运的基本方程入手,建立了描述载流子和电场的动力学方程.利用数值方法,得到不同参数激光辐照探测器时的光生电动势,以及达到载流子饱和所需的激光阈值强度.
  • 作者: 张云妹 方祖捷 李爱珍 林春 柏劲松 郑燕兰 陈高庭
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  355-357,362
    摘要: 报道了1.8 μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果,器件在77 K下以脉冲方式工作,阈值电流约25 mA,中心波长约1.84 μm.
  • 作者: 佟首峰 郝志航 阮锦
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  358-362
    摘要: 相关双采样法在CCD视频信号处理领域中被广泛使用,它不仅能有效地消除KTC噪声,而且能够抑制低频噪声和宽带白噪声.文章对双δ法、四δ采样法(FDA)、微分平均法、四δ法(FGA)、双微分平均...
  • 作者: 冯喆珺 安毓英 曾小东 李春 武树斌
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  363-365
    摘要: 提出了一种用于测量入射激光波长的新方法.根据InGaAs、Si双光电探测器的不同光谱响应特性,综合测定入射激光波长.与通常的F-P腔等测波长的方法相比,该方法不受入射激光方向变化的影响,而且...
  • 作者: 朱敬宜
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  366-368
    摘要: 根据光增益与载流子密度的对数关系,在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子复合项,通过适应于多量子阱激光器的速率方程,从理论上证明了短腔结构存在与阈值电流最小值对应的最佳阱数.给出了多量...
  • 作者: 刘恩科 刘润民 孙飞 李国正
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  369-373
    摘要: 从渐变截面波导与强导近似的阶跃截面波导之间的区别入手,推导出了渐变截面MMI区长度的精确表达式,并对成像的振幅和相位关系进行了研究.结果表明,在相同MMI区宽度条件下,渐变截面器件中MMI区...
  • 作者: 孟庆鑫 张立勋 杨勇 王岚 谭定忠
    刊名: 半导体光电
    发表期刊: 2000年5期
    页码:  374-376
    摘要: 利用光纤的光强内调制原理设计了一种用于水下机器人的滑觉传感器.详细介绍了传感器的原理和设计方法,对传感器的静态、动态性能进行了理论和实验研究.用基于遗传算法的神经网络对滑觉传感器的动态性能进...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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半导体光电统计分析

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